Технологии

Основой современного производства изделий микро- и наноэлектроники является производство кристаллов. АО «ОКБ-Планета» располагает полным комплексом современного технологического оборудования. В производстве освоены термические, элионные, магнетронные, плазмохимические, фотолитографические, гальванические и иные процессы обработки подложек кремния (Si), арсенида галлия (GaAs) и нитрида галлия (GaN). Налажен серийный выпуск полупроводниковых приборов и ИМС, в том числе специального назначения. 

Помимо этого, АО «ОКБ-Планета» успешно выполняет НИОКР по разработке различной многофункциональной ЭКБ для сторонних заказчиков и в рамках ФЦП для Министерства промышленности и торговли Российской Федерации. 

Технология GaAs полупродниковых приборов и ИМС

АО «ОКБ–Планета» обладает полным технологическим циклом производства дискретных СВЧ полевых транзисторов (одно- и двухзатворных) и различных функциональных монолитных интегральных схем, таких как малошумящие усилители, переключатели, аттенюаторы и др. Размер обрабатываемых подложек от 2 до 3 дюймов. 

Технология Si полупроводниковых приборов

«ОКБ-Планета» обладает полным технологическим циклом производства дискретных полупроводниковых приборов (компонентов), таких как биполярные ВЧ и СВЧ транзисторы, полевые МОП транзисторы, варикапы, диоды и стабилитроны. Размер обрабатываемых подложек 3 дюйма. 

Технология GaN полупродниковых приборов и ИМС

В настоящее время, АО «ОКБ – Планета» внедряет технологию производства GaN СВЧ дискретных приборов и монолитных микросхем. Размер обрабатываемых подложек 2  дюйма.