Наша История

  • Установка эпитаксиального наращивания кремниевых слоев
  • 17
  • Заводское конструкторское бюро. Участок вакуумного напыления
  • 15
  • 14
  • 13
  • 12
  • 11
  • 10
  • Ионно-лучевая установка "Везувий" для легирования полупроводниковых материалов
  • 8
  • 7
  • Заводское конструкторское бюро. Установки проверки транзисторов на срок службы
  • 5
  • Визит на предприятие космонавта, дважды героя Советского Союза Поповича П.Р.
  • 3
  • 2
  • 3
  • 2

Этапы развития

1961 – 1966 годы

Сотрудничество с НИИ 35 (НИИПЭ, НИИ «Пульсар») по доработке конструкции и технологии микросплавных и сплавно – диффузионных германиевых транзисторов (ТМ2,3,5, П417), внедрение в производство на заводе. Техническая помощь заводу в совершенствовании технологии производства и конструкции сплавных германиевых транзисторов с целью увеличения процента выхода годных, стабилизации параметров, повышения качества и надёжности. Разработка и внедрение в производство поточно-механизированных линий изготовления кристаллов и сборки транзисторов.

1967 – 1970 годы

Разработка совместно с НИИПЭ германиевых планарно-эпитаксиальных транзисторов ГТ328 и ГТ346 со специальной характеристикой для применения в схемах с автоматической регулировкой усиления (АРУ) селекторов телевизионных каналов метрового и дециметрового диапазона длин волн, внедрение в производство на НЗЛК и заводе «Транзистор» в г. Минске. Разработка и внедрение в производство специального технологического, контрольно-измерительного и испытательного оборудования для производства планарных транзисторов.

1971 – 1978 годы

Разработка германиевых планарно-эпитаксиальных малошумящих СВЧ транзисторов для аппаратуры специального применения 1Т376, 1Т386, серии гибридных СВЧ интегральных схем 401УВ1-УВ3. Внедрение в производство.

1979 – 1992 годы

Разработаны и внедрены в производство транзисторы и микросхемы на арсениде галлия (от 4 ГГц до 37 ГГц) – более 41 типономинала, СВЧ конвертеры для приёма спутникового телевидения на собственной элементной базе.

Кремниевые СВЧ малошумящие транзисторы и транзисторы средней мощности КТ3165, 2Т3121, 2Т3187, 2Т658, 2Т9143. Всего было разработано 19 типономиналов кремниевых транзисторов в эти годы.

Разработаны и внедрены в производство серии кремниевых интегральных микросхем формирователей тока с различными логическими функциями К1102, микросхем для телевизионных приёмников, комплекта микросхем для отечественных видеомагнитофонов КР1021УР1, КР1043ХА4, КР1051ХА11, КР1054ХА1, КФ1051ХА16. Всего в эти годы было разработано 27 типономиналов монолитных и гибридных микросхем различных функций и назначения. Разработка ряда базовых матричных кристаллов, в т.ч. для применения в электронных блоках слуховых аппаратов.

Освоение производства светоизлучающих диодов. Разработка и производство часов и информационных панелей («бегущих строк») на светоизлучающих диодах; оказание помощи заводу в освоении производства часов и панелей.

ДОКУМЕНТАЛЬНЫЙ ФИЛЬМ "КАК ЖИВЕШЬ, "ПЛАНЕТА"? 1989 год

1993 – 2004 годы

Разработка и производство терморезисторов, датчиков давления, кремниевых переключательных диодов, варикапов и стабилитронов. Производство транзисторных структур для поставок СВЧ приборов на экспорт. Разработка и изготовление систем электронного зажигания для мотоблоков, мотокультиваторов, бензопил, лодочных моторов.

2005 – 2012 годы

Участие и победа в ряде конкурсов на право выполнения опытно-конструкторских работ по разработке изделий в рамках Федеральных целевых программ: разработаны серии СВЧ варикапов 2В173, 2В174, 2В175, малошумящие кремниевые биполярные СВЧ транзисторы 2Т3202, полевые транзисторы на арсениде галлия 3П362, тиристоры 2У202, модуль малошумящего СВЧ усилителя на арсениде галлия, модули широкополосных СВЧ усилителей на нитриде галлия, модули СВЧ аттенюатора и переключателя на арсениде галлия, СВЧ МИС коммутаторов, модуляторов и демодуляторов на соединении кремний-германий.

Выполнены разработки и организовано производство блоков и модулей приёмопередающих устройств для радиолокационных комплексов дальнего обнаружения – балансные усилители, делители и сумматоры мощности, усилители мощности, коммутаторы СВЧ диапазона, ВЧ переключатели, модули защиты от высокой мощности; разработаны конструкции ответвителей, фильтров и фазовращателей, гибридных мостов.

Оказание услуг ряду предприятий России по разработке и изготовлению печатных плат на поликоровых подложках для СВЧ устройств. 

2012 – 2014 годы

Участие и победа в ряде конкурсов (более 22 работ) на право выполнения опытно-конструкторских работ по разработке изделий в рамках Федеральных целевых программ: переключающих диодов 2Д815А9, 3Д2172А-Г9, 2А302А9, 2А302А91 и детекторных диодов 2А211А9, 2А211Б9,  2А211В9, транзисторов 3ПШ3105А9, 3ПШ3105А91, 3ПШ3105АБ, усилителей М421345-1, М421345-2,  М421362-1, М421362-2, более 10 базовых технологий создания различных ЭРИ.

Приобретены компетенции по разработке и производству систем охлаждения на капиллярных тепловых трубах, жидкостных панелей охлаждения (2015 г.).

2014 – по настоящее время

Совместно с дочерней компанией «Планета-Ирмис» освоен процесс разработки СВЧ микросхем с повышенными характеристиками для последующего производства на зарубежных фабриках.

Приобретены компетенции по разработке и производству модуляторов питания и источников вторичного электропитания для радиоаппаратуры.

Выполнены разработки и организовано серийное производство современных приемо-передающих модулей.

В мае  2016 г приурочено к 55-летию «ОКБ-Планета» введение  в эксплуатацию построенного вновь производственного корпуса.