Кристальное производство

title_tech6.jpg

Основой современного производства изделий микро- и наноэлектроники является кристальное производство. ОАО «ОКБ-Планета» располагает полным комплексом современного производственного оборудования. В производстве освоены: термические, элионные, магнетронные, плазмохимические, фотолитографические, гальванические и иные процессы обработки подложек кремния (Si), арсенида галлия (GaAs) и нитрида галлия (GaN). Налажен серийный выпуск полупроводниковых приборов и ИМС, в том числе, специального назначения.

Помимо этого, ОАО «ОКБ-Планета» успешно выполняет НИОКР по разработке различной многофункциональной ЭКБ, для сторонних заказчиков и в рамках ФЦП для МИНПРОМТОРГ РФ.

 Технология GaAs полупродниковых приборов и ИМС

ОАО «ОКБ–Планета» обладает полным технологическим циклом производства дискретных СВЧ полевых транзисторов (одно- и двухзатворных) и различных функциональных монолитных интегральных схем, таких как: малошумящие усилители, переключатели, аттенюаторы и др. Размер обрабатываемых подложек от 2 до 3 дюймов.

Технология Si полупроводниковых приборов

«ОКБ-Планета» обладает полным технологическим циклом производства дискретных полупроводниковых приборов (компонентов), таких как: биполярные ВЧ и СВЧ транзисторы, полевые МОП транзисторы, варикапы, диоды и стабилитроны. Размер обрабатываемых подложек 3 дюйма.

Технология GaN полупродниковых приборов и ИМС

В настоящее время, ОАО «ОКБ – Планета» внедряет технологию производства GaN СВЧ дискретных приборов и монолитных микросхем. 

Размер обрабатываемых подложек 2  дюйма.