Транзисторы

Арсенид-галлиевые полевые малошумящие СВЧ транзисторы с барьером Шоттки

Обозначение Категория качества Корпус Основные параметры Режим измерения Аналоги Доступно к заказу
3П362А-2 ВП KT-21 Кш. 50макс = 0,65 дБ; КУ.50 Р. мин = 17,4 дБ; Kу Р опт=18,5 дБ; UCИ =3,0 В;  IC =50 мА;  f =435 МГц; Информация
3П362Б-2 ВП KT-21 Кш.50 макс = 0,80 дБ; КУ.50 Р. мин = 16,0 дБ; Kу Р опт=17,5 дБ; UCИ =3,0 В;  IC =50 мА;  f =435 МГц; Информация
3П362В-2 ВП ПАЯО.336.011 ТУ Кш.50 макс = 0,65 дБ; КУ. 50Р. мин = 16,5 дБ; Kу Р опт=17,0 дБ; UCИ =3,0 В; IC =50 мА; f =435 МГц; Информация
3П362Г-2 ВП ПАЯО.336.011 ТУ Кш.50 макс = 0,80 дБ; КУ.50 Р. мин = 15,0 дБ; Kу Р опт=16,0 дБ; UCИ =3,0 В; IC =50 мА; f =435 МГц; Информация
АП362А9 ОТК SOT23 К ш. мин. <1 дБ; КУ. Р. опт. мин = 9 дБ; UЗС= -7,5 В; UCИ =3,0 В; IC =20 мА; f =1 ГГц; Информация
АП362Б9 ОТК SOT23 К ш. мин. <1 дБ; КУ. Р. опт. мин = 9 дБ; UЗС= -4,5 В; UCИ =3,0 В; IC =20 мА; f =1 ГГц; Информация
АП379А9 ОТК SOT143 К ш. мин. <1,4 дБ;  КУ. Р. опт. мин = 16дБ;  Pmax=120 мВт;  Pmax=120 мВт; UCИ =5,0 В;  IC =10 мА;  f =0,8 ГГц; CF739 Информация
К ш. мин. <1,4 дБ;  КУ. Р. опт. мин = 16дБ;  Pmax=120 мВт;  Pmax=120 мВт; UCИ =5,0 В;  IC =10 мА;  f =0,8 ГГц;
АП379Б9 ОТК SOT143 К ш. мин. <1,4 дБ; КУ. Р. опт. мин = 16 дБ; Pmax=120 мВт; UCИ =5,0 В; IC =10 мА; f =0,8 ГГц; CF739 Информация
3ПШ3105А9 ВП SOT89 К ш. мин. <0,35 дБ; КУ. Р. опт. мин = 20 дБ; Pmax=150 мВт; UCИ =5,0 В; IC =100 мА; f =500 МГц; Информация
3ПШ3105Б9 ВП SOT89 К ш.50 макс. = 0,8 дБ; КУ. 50. мин = 14 дБ; UCИ =4,0 В; IC =100 мА; f =440 МГц; Информация
3ПШ3105А91 ВП SOT143 К ш. мин. <0,35 дБ; КУ. Р. опт. мин = 20 дБ; Pmax=150 мВт; UCИ =5,0 В; IC =50 мА; f =500 МГц; Информация

Двухзатворный арсенид-галлиевый полевой транзистор

Обозначение Категория качества Корпус Основные параметры Режим измерения Аналоги Доступно к заказу
3П3106АН2 ВП ПАЯ 3551.037 I31ут.макс= 10,0 мкА; I32ут.макс= 10,0 мкА; UCИ =5,0 В;  UЗ1И = -3,0 В;  UЗ2И = -3,0 В; Информация
S1= 25 мА/В; S2= 20 мА/В; UCИ =4,0 В; IC =10 мА; UЗ1И =0 В; UЗ2И = 0 В;
Кш.<2,5 дБ;    Ку.Р>16дБ; UCИ =4,0 В;    IC =6 мА;
f =12 ГГц;  U32И =0 В;

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n СВЧ транзисторы

Обозначение Категория качества Корпус Основные параметры Режим измерения Аналоги Доступно к заказу
КT3187A9 ОТК SOT23 Кш. макс = 2,0 дБ; Ку.Р. мин = 12,0 дБ; fгр мин. = 4,6 ГГц; UКБ =10 В; IЭ =14 мА; f =800 МГц; BFR92 BFR92A BFR93 Информация
KТ3187А91 ОТК SOT23 Кш. макс = 2,0 дБ; Ку.Р. мин = 12,0 дБ; fгр мин. = 4,6 ГГц; UКБ =10 В; IЭ =14 мА; f =800 МГц; BFR92 BFR92A BFR93 Информация
КТ3187Б9 ОТК SOT23 Кш. макс = 2,0 дБ; Ку.Р. мин = 12,0 дБ; fгр мин. = 3,2 ГГц; UКЭ =3,0 В; IЭ =2 мА; f =800 МГц; BFR92 BFR92A BFR93 Информация
KТ3187Б91 ОТК SOT23 Кш. макс = 2,0 дБ; Ку.Р. мин = 12,0 дБ; fгр мин. = 3,2 ГГц; UКЭ =3,0 В; IЭ =2 мА; f =800 МГц; BFR92 BFR92A BFR93 Информация
КТ6132А ОТК KT-21 h21Э.мин=40,0; Pк.макс=1,3 Вт; fгр.мин=3,5 ГГц; UКБ =10 В; IЭ =50 мА; f =300 МГц; BFP194 Информация

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n малошумящие СВЧ транзисторы

Обозначение Категория качества Корпус Основные параметры Режим измерения Аналоги Доступно к заказу
2T3187A9 ВП SOT23 Кш. макс = 2,0 дБ; UКЭ =10 В; IЭ =4 мА; f =800 МГц; BFR92 BFR92A BFR93 Информация
Ку.Р. мин = 12,0 дБ; UКЭ =10 В; IЭ =14 мА; f =800 МГц;
fгр мин. = 4,6 ГГц; UКБ =10 В; IЭ =14 мА; f =300 МГц;
2Т3187А91 ВП SOT23 Кш. макс = 2,0 дБ; UКЭ =10 В; IЭ =4 мА; f =800 МГц; BFR92 BFR92A BFR93 Информация
Ку.Р. мин = 12,0 дБ; UКЭ =10 В; IЭ =14 мА; f =800 МГц;
fгр мин. = 4,6 ГГц; UКБ =10 В; IЭ =14 мА; f =300 МГц;
2Т3202А9 ВП SOT143 Кш.min макс=1,8 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =5 мА; f =1 ГГц; BFQ67 Информация
Кш.min макс=2,2 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =5 мА; f =2 ГГц;
Ку.Р.мин=15 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =15 мА; f =1 ГГц;
Ку.Р.мин=10,7 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =15 мА; f =2 ГГц;
fгр мин. = 7,5 ГГц; UКБ =8 В; IЭ =15 мА; f =300 МГц;
2Т3202Б9 ВП SOT143 Кш.min макс=2,0 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =5 мА; f =1 ГГц; BFQ67 Информация
Кш.min макс=3,0 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =5 мА; f =2 ГГц;
Ку.Р.мин=13,5 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =15 мА; f =1 ГГц;
Ку.Р.мин=9,0 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =15 мА; f =2 ГГц;
fгр мин. = 6 ГГц; UКБ =8 В; IЭ =15 мА; f =300 МГц;
2Т3202А91 ВП SOT143 Кш.min макс=1,8 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =5 мА; f =1 ГГц; BFQ67 Информация
Кш.min макс=2,2 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =5 мА; f =2 ГГц;
Ку.Р.мин=15 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =15 мА; f =1 ГГц;
Ку.Р.мин=10,7 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =15 мА; f =2 ГГц;
fгр мин. = 6 ГГц; UКБ =8 В; IЭ =15 мА; f =300 МГц;
2Т3202В9 ВП SOT143 Кш.min макс=2,0 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =5 мА; f =1 ГГц; BFQ67 Информация
Кш.min макс=3,0 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =5 мА; f =2 ГГц;
Ку.Р.мин=15 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =15 мА; f =1 ГГц;
Ку.Р.мин=10,7 дБ; UКЭ =8 В; IЭ =15 мА; f =2 ГГц;
fгр мин. = 7,5 ГГц; UКБ =8 В; IЭ =15 мА; f =300 МГц;

Кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p малошумящие СВЧ транзисторы

Обозначение Категория качества Корпус Основные параметры Режим измерения Аналоги Доступно к заказу
2Т3191А9 ВП SOT23 Кш. макс=2,8 дБ; UКЭ =-10 В; IЭ =2 мА; f =500 МГц; ВFT92 ВFT93 Информация
Ку.Р.мин=15,0 дБ; UКЭ =-10 В; IЭ =14 мА; f =500 МГц;
fгр мин. = 4,0 ГГц; UКЭ =-10 В; IЭ =14 мА; f =300 МГц;
2Т3191А91 ВП SOT23 Кш. макс=2,8 дБ; UКЭ =-10 В; IЭ =2 мА; f =500 МГц; ВFT92 ВFT93 Информация
Ку.Р.мин=15,0 дБ; UКЭ =-10 В; IЭ =14 мА; f =500 МГц;
fгр мин. = 4,0 ГГц; UКЭ =-10 В; IЭ =14 мА; f =300 МГц;
КТ3191А9 ОТК SOT23 Кш. макс=2,8 дБ; UКЭ =-10 В; IЭ =2 мА; f =500 МГц; ВFT92 ВFT93 Информация
Ку.Р.мин=15,0 дБ; UКЭ =-10 В; IЭ =14 мА; f =500 МГц;
fгр мин. = 4,0 ГГц; UКЭ =-10 В; IЭ =14 мА; f =300 МГц;
КТ3191А91 ОТК SOT23 Кш. макс=2,8 дБ; UКЭ =-10 В; IЭ =2 мА; f =500 МГц; ВFT92 ВFT93 Информация
Ку.Р.мин=15,0 дБ; UКЭ =-10 В; IЭ =14 мА; f =500 МГц;
fгр мин. = 4,0 ГГц; UКЭ =-10 В; IЭ =14 мА; f =300 МГц;
КТ6131А ОТК KT-21 h21Э.мин=40,0; Pк.макс=1,3 Вт; fгр мин.=3,5 ГГц; UКБ =-10 В; IЭ =50 мА; f =300 МГц; BFP194 Информация

Кремниевые эпитаксиально-планарные СВЧ транзисторы

Обозначение Категория качества Корпус Основные параметры Режим измерения Аналоги Доступно к заказу
КТ6129А9 ОТК SOT143 h21Э.мин=20,0; Pк.макс=700 мВт; fгр мин.=4,0 ГГц; UКБ =-10 В; IЭ =50 мА; f =300 МГц; BFP194 Информация
КТ6130А9 ОТК SOT143 h21Э.мин=40,0; Pк.макс=700 мВт; fгр мин.=3,5 ГГц; UКБ =10 В; IЭ =50 мА; f =300 МГц; BFP194 Информация
КТ3169А9 ОТК SOT23 Кш. макс=6,0 дБ; UКБ =-10 В;  IЭ =3 мА;  f =800 МГц;  ; Информация
Ку.Р.мин=13,0 дБ; UКБ=-10 В;  IЭ =3 мА;  f =800 МГц;
fгр мин. = 0,75 ГГц; UКБ =-10 В;  IЭ =14 мА;  f =300 МГц;
КТ3169А91 ОТК SOT23 Кш. макс=6,0 дБ; UКБ =-10 В;  IЭ =3 мА;  f =800 МГц;  ; Информация
Ку.Р.мин=13,0 дБ; UКБ =-10 В;  IЭ =3 мА;  f =800 МГц;
fгр мин. = 0,75 ГГц; UКБ =-10 В;  IЭ =3 мА;  f =300 МГц;

Бескорпусные кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы

Обозначение Категория качества Корпус Основные параметры Режим измерения Аналоги Доступно к заказу
2Т6143АН5 ВП h21Э.мин=7,0; UКЭ=10 В; IК =80 мА; f =100 МГц; Информация
Ку.Р.мин=4 дБ; UКБ=20 В; IК =110 мА; f =1000 МГц;
Рвых=1 Вт; UКБ=20 В; IК =110 мА; f =1000 МГц;
2Т6143А-6 ВП h21Э.мин=7,0; UКЭ=10 В; IК =80 мА; f =100 МГц; Информация
Ку.Р.мин=4 дБ; UКБ=20 В; IК =110 мА; f =1000 МГц;
Рвых=1 Вт; UКБ=20 В; IК =110 мА; f =1000 МГц;